碳化硅晶须是一种纤维状单晶体，横断面近乎一致，内外结构高度完整，其长经比为5-1000，直径为20-100μm.质量好的晶须是一种接近理想状态下生产的单晶，其纯度很高，晶须的晶体结构较完整，所含缺陷少，其强度接近于完整晶体的理论值。

早在1661年，Robert Boyle 在其专著当中论述过金属银晶须的自发生产问题。近年易有近百种晶须工业产品被陆续开发出来，如金属、氧化物、碳化物、氮化物等晶体，其中，高硬度无机晶须（如SIC，SI3,N4,AL203等）具有可控生长的特性，可促进低维材料的发展，并为高韧性复合材料的制造提供了新的途径。密度

碳化硅的晶须（SICW）通常呈黄绿色或灰绿色，SICW直径为0.2-1.5μm，粗晶须直径为3-5μm；长度为几十至几百微米，最长约5000μm。SICW密度为3.2g/cm3，荷重软化温度1600℃，

熔点2690℃。

常见的SICW如图：Β-SiCWSEW图像