碳化硅很早就被认为是在高温和高能的电子学应用上具有极大潜力的一种半导体材料，它是一种有很多种结构的多晶态材料，主要有立方、六方和斜方等三种晶态，其化学成分都一样。立方晶态碳化硅称为3C-SiC，禁带宽度为2.3eV，为硅的两倍。目前已发现了多种六方和斜方晶态的SiC，最常见的是4H-SiC和6H-SiC的六方晶体，它们的禁带宽度比3C-SiC高，分别为2.9eV和3.2eV。SiC可以通过掺杂来形成n型或P型材料。SiC的机械特性比硅好，弹性模量为300-700GPa，非常适合微机械谐振器和滤波器，因为随着弹性模量的增大，其谐振频率也相应提高。
碳化硅薄膜可用多种不同的技术生长或淀积而成。高质量的单晶碳化硅薄膜一般采用APCVD或LPCVD，使用两种源气体SiH₄和C3H8，在具有同样晶体类型的衬底上均向外延生长结构的需要。外延薄膜通过掺杂调整为P或n型使其具有导电性，P型掺杂的SiC的生长实际上是不存在的，因为在淀积系统里残余的氮浓度非常高。